三星 8 奈米「再活一屆」：第二代 8LPU+ 性能提升 12%、功耗降 15%，走無 EUV 路線

三星晶圓代工擴展 8 奈米平台：第二代 8LPU+ 性能提升 12%、功耗降低 15%，主攻邊緣 AI、機器人與車用晶片。

三星晶圓代工部門決定讓 8 奈米工藝「再活一屆」。據科技媒體 gurufocus 10 月 20 日報導，三星將擴展其 8 奈米工藝技術，推出第二代 8LPU+ 平台，並已將技術摘要提交給 IEDM 2026。

性能提升 12%、功耗降低 15%、面積縮小 8%

根據三星提交給 IEDM 2026 的技術摘要，相較上一代 8LPU，新平台性能提升 12%、功耗降低 15%、晶片面積縮小 8%，並透過 ULL-SRAM 與 cHVT 器件降低待機漏電。8LPU+ 並整合原生 3.3V 平面 I/O 器件，可額外減少約 10% 的 I/O 面積；其汽車級 1 級（AG1）eMRAM 位單元面積約為 0.017 平方微米，相當於每平方毫米約 20Mb 儲存容量。

關鍵策略：無 EUV 路線，壓成本搶成熟制程

與最先進制程普遍依賴 EUV（極紫外）光刻不同，8LPU+ 明確採用「無 EUV」路線，繼續利用現有 DUV（深紫外）產線。這有助於三星避免高昂的 EUV 設備投入，在成熟制程上爭取更低成本、更快量產的競爭力——在先進製程追趕台積電吃力的背景下，轉向用成熟節點的性價比搶單，是務實的差異化打法。

該平台主要面向邊緣 AI、機器人與汽車晶片。三星計畫於太平洋時間 12 月 14 日下午 4:20 至 4:45（北京時間 12 月 15 日上午 8:20 至 8:45）在 IEDM 2026 活動中公開演講，屆時將揭露更多技術細節。

資料來源

• 新浪財經（引述 IT 之家）：三星 8 納米工藝「再活一屆」：性能提升 12%、功耗降低 15%（2026-10-21）
• IT 之家引述 gurufocus（2026-10-20）