AI 記憶體最大戰場 HBM：SK 海力士拿下五成，中國廠商還落後三年以上

《朝鮮日報》日語版引 Counterpoint 數據：今年第二季 HBM 市佔 SK 海力士 50%、三星 33%、美光 18%；中國在一般 DRAM 與 NAND 急起直追，但 HBM 被業界認為還落後三年以上。

AI 競賽要跑得快，不只需要更強的運算晶片，還需要餵得飽這些晶片的記憶體。《朝鮮日報》日語版在 10 月 22 日刊出的分析指出，記憶體半導體已成為各家必爭之地，其中搭載於 NVIDIA 等 AI 加速器上的高頻寬記憶體（HBM），更是「激戰區中的激戰區」。

HBM：三家寡占，中國還沒進場

最新世代是第 6 代 HBM4。現實是，全球只有三星電子、SK 海力士、美國美光三家能量產，中國記憶體廠商還沒辦法認真做出 HBM。

根據 Counterpoint Research 的調查，今年第二季 HBM 市場占有率：SK 海力士 50%、三星電子 33%、美光 18%。業界普遍認為，中國的 HBM 技術實力落後韓國三年以上——在 AI 記憶體這條賽道上，差距不是縮小，而是一道高牆。

一般 DRAM 與 NAND：中國正在逼近

但把視角拉到傳統記憶體，故事就不一樣了。今年第二季全球 DRAM 市場，中國長鑫存儲（CXMT）拿下 10% 占有率，排在三星（38%）、SK 海力士（25%）、美光（24%）之後，躍居第四。

NAND 快閃記憶體方面，中國長江存儲（YMTC）以出貨量計算拿下 16.5%，僅次於三星與海力士位居第三。憑藉自研的 Xtacking 堆疊技術，300 層以上的產品也在開發中，業界大都認為 NAND 領域韓中技術差距「幾乎已經不存在」。

技術演進的速度同樣驚人：1983 年三星做出第一顆 64Kb DRAM，對照如今 HBM4 採用的 1c 製程 24Gb DRAM，晶片容量膨脹了約 39 萬倍，線寬則縮到數百分之一。CXMT 今年量產的製程，被形容為「三星五年前商用的技術」，但該公司宣布年內導入 4F² 微縮設計，等於公開向三星、SK 海力士下戰帖。

非記憶體：美台仍是主場

系統半導體（非記憶體）則是另一幅版圖：CPU 由英特爾與 AMD 雙分天下，GPU 市場 NVIDIA 拿下八成以上。華為等中國廠商也在做自研 GPU 與 AI 晶片，但效能仍不及美系產品。

晶圓代工更是台灣的主場：TrendForce 數據顯示，今年第二季全球代工市場，台積電占有率高達 72.5%，三星 5.9%、中芯國際 5.4%。台積電與三星都已進入 2 奈米製程，但在良率上台積電大幅領先。

對台灣而言，記憶體話語權之爭並非隔岸觀火：美光桃園廠工會本週正發動罷工（本站今日稍早另有報導），AI 伺服器記憶體供應吃緊之際，誰掌握 HBM，誰就掐住了 AI 產業鏈的咽喉。

資料來源

• 朝鮮日報日語版 Chosunonline（2026 年 10 月 22 日）
• Counterpoint Research（經朝鮮日報引述）
• TrendForce（經朝鮮日報引述）